ноември 20, 2023

През 2024 година Samsung ще въведе усъвършенствана технология за 3D опаковане на SAINT чиповете

През следващата година Samsung ще представи усъвършенствана технология за пространствено опаковане на чиповете. Технологията за 3D опаковане ще направи възможно интегрирането на процесори с памет и създаването на високопроизводителни чипове, оптимизирани за системи с изкуствен интелект. Компанията очаква, че това ще ѝ помогне да се конкурира по-ефективно с TSMC, световния лидер в производството на полупроводници по договор.

През следващата година Samsung планира да представи нова технология за опаковане на 3D чипове, наречена SAINT (Samsung Advanced Interconnection Technology). Тази технология позволява процесорите да бъдат интегрирани с паметта, като се създават високопроизводителни чипове, особено полезни за системите за изкуствен интелект.

Под марката SAINT компанията Samsung ще предлага три варианта на решения: SAINT S с вертикално разположение на процесор и SRAM, SAINT D с вертикално разположение на DRAM и процесорите и SAINT L за специализирани компоненти. Очаква се тези решения да бъдат по-компактни и да превъзхождат съществуващите технологии. Използваната от Samsung 2,5D технология за опаковане включва предимно хоризонтално разположение на компонентите. Някои от решенията, включително SAINT S, вече са тествани и ще бъдат допълнително изпитани с подбрани клиенти преди пускането им на пазара.

Опаковането е последният етап от производството на полупроводниците. Той включва поставяне на чипа в защитен корпус, който го предпазва от корозия и позволява свързването му с другите компоненти в компютъра. Водещи производители на чипове като TSMC, Samsung и Intel се конкурират за усъвършенствани технологии за опаковане, които комбинират различни компоненти и ги поставят вертикално. По този начин се подобрява производителността на електрониката, без да се променя производственият процес – „свиване на нанометрите“. Но тези технологии са сложни и отнемат повече време за отстраняване на грешките и внедряване.


source

Сподели: