Компонентите от силициев карбид се радват на голямо търсене не само в космическия сектор, но и в съвсем обикновени области като производството на електромобили или различни видове силова електроника. Китай отдавна се е ангажирал да организира производството на суровини за такива компоненти на своя територия, а неотдавна в страната заработи първата производствена линия от подходящ тип, използваща само оборудване с местен произход.

Както отбелязва TrendForce, в края на септември в Китай компанията Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical, чрез дъщерното си дружество SuperSiC пусна в експлоатация профилна производствена линия за производство на 300-милиметрови пластини на базата на силициев карбид. Пилотната линия се характеризира с изцяло китайска технология и използване на изключително местно оборудване на всички етапи от производството.

Друга важна разлика от аналозите е използването на 300-милиметрови подложки, които в условията на масово производство позволяват да се намали себестойността на всяка единица продукция. Днес за работа със силициев карбид обикновено се използват 200-милиметрови подложки, а преминаването към 300-милиметрови позволява да се увеличи броят на чиповете, получени от една подложка с два пъти и половина. Това значително намалява цената на всеки чип.

Освен това, разходите за обработка на един субстрат се намаляват с 40 % при преминаване към този размер, а цената на готов автомобилен компонент се намалява от 150 на 90 долара за брой. Това ще даде възможност на участниците на пазара на електромобили, 5G комуникационни системи и слънчева енергия да намалят разходите за закупуване на силова електроника на базата на силициев карбид.

Други китайски производители също полагат усилия за овладяване на производството на пластини от силициев карбид с такъв размер. SICC очаква до края на тази година да постигне 65% добив на пилотната си линия с 300-милиметрови пластини и да започне масово производство. Infineon и TanKeBlue си сътрудничат в тази област, като също разчитат на този размер пластини за производство на силови транзистори на базата на силициев карбид, които ще влязат в масово производство през следващата година.

Докато през миналата година делът на китайските производители на компоненти на базата на силициев карбид на световния пазар беше 24%, през тази година той ще нарасне до 60%, а нивото на локализация на оборудването ще достигне 80%. През миналата година Wolfspeed остана лидер на световния пазар с дял от 34%, но китайските SICC и TanKeBlue намаляват разликата, тъй като държат по 17% от световния пазар.

Съобщава се, че Nvidia се стреми да замени обикновените силициеви пластини с такива от силициев карбид при производството на чипове за своите AI ускорители от поколение Rubin. Като се има предвид голямото търсене на продукти на Nvidia от този тип, този ход би могъл да увеличи търсенето на съответните суровини.