Китайският производител на памет ChangXin Memory Technologies (CXMT) наскоро започна масово производство на DDR5 чипове. Тяхната архитектура беше проучена от експертите на TechInsights: според анализаторите продуктите на Samsung, SK hynix и Micron са с 3 години по-напред от китайските. Въпреки това производителите на оригинално оборудване вече се подготвят за разпространението на тази памет – MSI пусна актуализация на BIOS-а, оптимизирана за паметта на CXMT за дънни платки, предназначени за китайските потребители.

Експертите на TechInsights избраха за изследването комплект от две 16 GB DDR5-6000 UDIMM плочки (VGM5UC60C36AG-DVDYBN), произведени от Gloway върху 16-гигабитови CXMT чипове. Чипът е с размери 8,19 × 8,18 mm, което дава площ от 66,99 mm² и плътност от 0,239 Gbit/mm² – кристалът е капсулиран. Последният е изработен по новата технология CXMT G4 с размер на клетката 16 nm и площ на клетката 0,002 µm² – 20% намаление на размера в сравнение с предишното решение G3 (18 nm). Разстоянието между клетките е 29,8, 41,7 и 47,9 nm за активната линия, както и за wordline и bitline – подобно на поколението D1z (15,8-16,2 nm) на Samsung, SK hynix и Micron.

Добивът на CXMT е 80%, което е много добър резултат.

Преди това CXMT произвеждаше DRAM, използвайки собствените си технологии G1 (D2y, 23,8 nm) и G2 (D1x, 18,0 nm). Пазарните лидери в лицето на Samsung, SK hynix и Micron вече са преминали към 12-14 nm технологии, използващи екстремна ултравиолетова технология (EUV), но тя е недостъпна за китайските производители поради санкциите на САЩ.

Вашингтон забрани на CXMT да използва оборудване с американски технологии и да доставя продуктите си в САЩ. За сравнение, Samsung е намалила размера на кристала си до 6,46 × 7,57 mm, което съответства на площ от 48,90 mm², което представлява 40% предимство пред CXMT. Това не попречи на китайския производител да настигне световните лидери по отношение на плътността на чиповете и да действа като пълноправен конкурент, предлагайки по-ниски цени. Сега гамата му от чипове включва DDR3L (2 и 4 Gbit), DDR4 (4 и 8 Gbit), LPDDR4X (6 и 8 Gbit), LPDDR5 (12 Gbit), а сега и DDR5 (16 Gbit).

Китайската оперативна (RAM) памет е напълно съвместима със съвременните платформи. MSI пусна в Китай дънни платки MAG B860 Tomahawk Wi-Fi, MAG B860M Mortar Wi-Fi и Pro B860M-A Wi-Fi, а последната актуализация на BIOS за тях осигурява оптимизация за чиповете DDR5 чиповете на CXMT, посочва Tom’s Hardware.

През 2021 година Samsung, SK hynix и Micron пускаха чипове, произведени по 16 nm технология, а днес преминаха към D1a/D1α и D1b/D1β с 12-14 nm елементи. Това показва 3-годишно технологично изоставане между пазарните лидери и CXMT, но китайският производител активно се движи напред: той прескочи 17 nm технология (D1y), премина направо от 18 nm към 16 nm (D1z) и сега активно работи по технология от следващо поколение – по-малко от 15 nm и без EUV литография – овладява се и памет от типа HBM.