Учени от Масачузетския технологичен институт (MIT) и техни колеги са разработили нова технология за интегриране на транзистори от галиев нитрид (GaN) директно върху силициевите чипове, което би могло да доведе до по-мощни и енергийно ефективни безжични предаватели и друга електроника от следващо поколение.

Галиевият нитрид е полупроводников материал, който превъзхожда силиция при работа с високи температури, напрежения и токове. Ето защо GaN вече се използва в съвременните зарядни устройства за лаптопи и смартфони, а също се счита и за обещаващ при високочестотните и мощни устройства. Чиповете, изцяло изработени от GaN, обаче са скъпи за производство, което ограничава масовото им използване.

Новата MIT техника позволява поставянето на малки GaN транзистори (с размери само 0,24 x 0,41 мм) директно върху стандартните силициеви чипове, използвайки нискотемпературно медно свързване. Това намалява разходите, използвайки само малко количество скъп материал и избягвайки сложни и скъпи процеси, включващи злато и високи температури. Резултатът са хибридни чипове, които съчетават високата скорост и енергийна ефективност на GaN с изчислителната мощност на силиция.

Тестовете показват, че тези чипове могат да усилват сигналите по-ефективно от традиционните силициеви решения, проправяйки пътя за по-мощни и компактни усилватели за смартфони, Wi-Fi и Bluetooth-устройства, подобрявайки качеството на връзката, честотната лента и живота на батерията.

Индустрията вече е проявила интерес към тази разработка, тъй като традиционните силициеви технологии почти са достигнали своите физически граници, а търсенето на по-бързи и мощни устройства само нараства. Напълно е възможно в близко бъдеще вашите джаджи да работят на такива хибридни чипове, осигуряващи стабилна комуникация и висока производителност.