В Китай е разработен наночип, неуязвим за радиацията.

Учени от университета Фудан съобщиха за пробив в областта на микроелектрониката: те са разработили програмируем чип, способен да работи при екстремни нива на радиация. Изследването е публикувано в списание National Science Review, което нарича проекта „исторически скок за двуизмерните полупроводници – от прости схеми към сложни системи“.

Създаденият чип принадлежи към класа на FPGA (Field-Programmable Gate Array) – това са програмируеми логически масиви, които могат да се преконфигурират след производството. Тази архитектура ги прави незаменими за сателитите, военното оборудване, изчислителните системи и оборудването, което се нуждае от обновяване непосредствено в процеса на експлоатация.

Основната характеристика на новия FPGA е използването на молибденов дисулфид (MoS₂) вместо традиционния силиций. Този материал принадлежи към двуизмерните полупроводници и се характеризира с висока устойчивост на радиация, както и с минимална дебелина, по-малка от един нанометър. Подобен тънък слой позволява по-прецизен контрол на електрическите потоци и предотвратява изтичането на енергия в транзисторите, което отдавна е проблем при сегашните силициеви чипове.

Според изследователите новият чип е с дебелина само 1 нанометър. При лабораторни тестове той е запазил пълната си функционалност след излагане на гама-лъчение с мощност до 10 мегарада, което е многократно по-високо от прага на разрушаване на конвенционалните силициеви схеми и е смъртоносно за хората.

Авторите отбелязват, че това решение открива „нов технологичен път за Китай за създаване на надеждни електронни компоненти“. Тези елементи биха могли да намалят зависимостта на аерокосмическите системи от обемистите външни екрани, намалявайки теглото и консумацията на енергия на оборудването.

В допълнение към високата радиационна устойчивост, двуизмерният материал позволява по-бързо движение на електроните и по-ефективно превключване, което подобрява работата на устройствата и тяхната рентабилност.

Работата е ръководена от професорите Джоу Пенг и Бао Уенжун. Техният екип вече многократно е отчитал забележителни постижения: през април 2025 г. те представиха в списание Nature първия в света изцяло двуизмерен полупроводников чип и най-бързата флаш памет. През октомври изследователите публикуваха друга статия за енергийно ефективна памет за изкуствен интелект, в която комбинираха двуизмерни материали със силиций.

Въпреки че изчислителната мощност на новия FPGA все още отстъпва на индустриалните му аналози, учените планират да работят с производствени партньори, за да създадат търговско производство. Тяхната цел е да произвеждат масово високонадеждни чипове, които са съвместими със съществуващите технологични линии.