Водещият производител на литографско оборудване ASML представи нова система, способна в една стъпка да създава структури с ширина 8 нанометра. Това е рекорд за търговските системи за моделиране на силициевите пластини. Оборудването, което е малко по-голямо от двуетажен автобус, може да създава чипове с плътност на транзисторите 2,9 пъти по-висока от предишното поколение системи.

Системата използва усъвършенствана технология за дълбока ултравиолетова фотолитография. Излъчването се проектира през маска върху повърхността на подложка, покрита с фоточувствителни химикали. Когато са изложени на светлина, химикалите се втвърдяват в предварително определен модел, след което подложката се ецва по химичен път. Процесът се повтаря, за да се създадат всички електрически компоненти на чипа, включително транзисторите и ултратънките проводници, които ги свързват.

Предишните поколения системи за литография използваха дълбока ултравиолетова светлина с дължина на вълната 193 nm – минималната дължина на вълната, която може да се фокусира с традиционните лещи. EUV литографията с по-къса дължина на вълната позволява да се преодолее тази бариера, пише Nature.

Ключовата иновация на ASML е оптиката с по-висока числова апертура, която позволява събирането на светлината под по-голям диапазон от ъгли с помощта на огромни, почти съвършени огледала. Оттук произтичат по-добра разделителна способност и контраст, което означава, че производителите на чипове могат да поберат повече транзистори на една и съща площ. Цената на едно устройство е около 400 милиона долара.

ASML вече е доставила около десет от тези устройства на клиенти, включително Intel и SK hynix. Според Маартен Вонкен, ръководител на изследователската метрология в ASML, благодарение на бума на изкуствения интелект търсенето на чипове и нуждата от мащабиране са „огромни“. По-мощните чипове с повече транзистори ще позволят на центровете за данни да извършват повече изчисления, без да се увеличава консумацията на енергия.