Лазерите с квантови точки се различават от другите полупроводникови лазери по високата си точност на контрол на параметрите и напоследък намират приложение в оптичните комуникационни устройства, томографите и спектроскопията. Специалисти от Южна Корея първи разработиха технология за масово производство на такива лазери, като използваха метода на химическо отлагане на органометални съединения в газообразна фаза. В резултат на това те успяха да намалят разходите за производството им с цели 6 пъти.

Обикновено диодите за квантовите лазери се изработват чрез молекулярно-лъчева епитаксия, но този метод не е достатъчно ефективен поради ниската скорост на растеж и не е подходящ за масово производство. Учените от Научноизследователския институт по електроника и телекомуникации предлагат да се опита друг метод – химическо отлагане на металоорганични съединения от газовата фаза, който се характеризира с по-малко взискателни производствени условия.

Освен това скъпите субстрати от индиев фосфид са били използвани преди това в оптичните комуникационни устройства. Новата технология дава възможност да се премине към галиев арсенид, който струва три пъти по-малко, съобщава изданието EurekAlert.

Диодите от галиево-индиев арсенид върху подложка от галиев арсенид, създадени по новия метод, имат висока плътност и хомогенност. Пилотен лазер, базиран на тях, демонстрира възможност за продължителна работа при температури до 75 градуса по Целзий. Това е най-добрият резултат за химическо отлагане на MOS от газообразната фаза.

Намалените производствени разходи и разходите за материали дават възможност за производство на полупроводникови лазери на базата на квантови точки шест пъти по-евтино, отколкото преди. Разработчиците възнамеряват да продължат да оптимизират технологията, за да подобрят нейната надеждност и да я направят по-привлекателна за местните телекомуникационни компании.