януари 14, 2025

Samsung ще намали производството на NAND флаш памет в Китай с около 15%

Пазарът на памет е подложен на циклични колебания на цените, които определят политиката на производителите. Най-големият от тях остава южнокорейската компания Samsung, а най-голямата ѝ база за производство на NAND чипове флаш памет е заводът в Сиан, Китай. Поради неблагоприятните пазарни условия компанията ще трябва да намали производството си с около 15% през тази година.

Това съобщават южнокорейски медии, запознати с плановете на компанията. На пазара на NAND, както уточняват те, през тази година предстои нова криза на свръхпроизводство, така че цените на съответните чипове ще паднат.

За да не увеличава загубите, Samsung предпочита да намали обема на производството. Докато миналата година компанията произвеждаше около 200 000 силициеви пластини с NAND чипове на месец в завода си в Сиан, тази година производството може да бъде намалено до 170 000 броя на месец. Освен това съоръженията на Samsung в корейското градче Хвасеонг също ще намалят обема на производство на NAND флаш памет.

Преди това, при подобни условия, Samsung трябваше да намали производството на памет през 2023 година – и то почти два пъти. След като ситуацията с цените на NAND се нормализира, компанията увеличи обема на производството си до 450 000 силициеви пластини на месец, ако се вземат предвид всички нейни обекти. През четвъртото тримесечие на миналата година се наблюдаваше тенденция към повишаване с до 5% на цените на SSD дисковете от сървърен клас вследствие на бума на изкуствения интелект, но според анализаторите на TrendForce през настоящото тримесечие те трябва да намалеят пропорционално.

Интересно е, че SK hynix се подготвя да увеличи производството си на NAND в тази област. Ако вземем предвид, че Samsung ще предпочете да намали обема на доставките на памет, по-малкият конкурент ще има възможност да засили пазарните си позиции, макар и за сметка на рентабилността. Високите печалби при доставките на HBM позволяват на SK hynix да поема рискове в сегмента на NAND.

source

Сподели: