Huawei се е научила да произвежда „почти“ 5 nm чипове с китайско оборудване и подготвя 3 nm технологичен процес
Общоприето е мнението, че сред китайските компании Huawei има най-голяма нужда от овладяване на съвременни литографски технологии. Нейният контрагент SMIC вече е в състояние да произвежда 7 nm чипове, но самата Huawei е отишла по-далеч, предлагайки продукти с характеристики, еквивалентни на тези на чуждестранните 5 nm чипове. Huawei може дори да овладее 3 nm процес през следващата година.
Интересна информация по тази тема беше споделена от тайванския ресурс United Daily News, който започна с обсъждане на произхода на представените този месец процесори HiSilicon Kirin X90. Противно на очакванията, те не са произведени по 5 nm процес в първоначалния му смисъл. Използван е 7 nm процес SMIC, но Huawei е успяла да подобри плътността на транзисторите, като е преминала към по-съвременна чипсетна опаковка. Нивото на добив на чипове не надвишава 50%, така че производството на такива полупроводникови продукти все още е доста скъпо.
Huawei също така е успяла да създаде производствени линии, напълно лишени от чуждестранно литографско оборудване.
За експониране на дизайна на разработените чипове компанията използва оборудване на Shanghai Micro Electronics от серията SSA800, което благодарение на използването на няколко преминавания и много фотошаблони позволява да се получат необходимите физически параметри на създадените чипове. За ецване на силициевите пластини компанията използва оборудване на AMEC, което е технически подходящо за 5 nm процес, а тестовото и измервателното оборудване от подходящ клас на точност се доставя от китайската Naura Technology. Подобна екосистема би трябвало да позволи на други китайски производители на чипове да постигнат напредък в областта на литографията, като същевременно запазят санкциите на САЩ, подкрепяни от Япония и Нидерландия.
Според тайвански медии подготовката на Huawei за 3 nm технология също е в ход. Следващата година тя трябва да е готова да въведе процес, използващ планарни структури и (gate-all-around-assembly – GAA) транзистори. Алтернативно, вариантът на 3 nm процес, включващ въглеродни нанотръбички може да бъде вариант, който вече е преминал етапа на лабораторни тестове и е започнал тестове на производствените линии на SMIC.
