Samsung ускорява технологичната надпревара: Първите мостри HBM4E памет дебютират през месец май
За Samsung Electronics е много важно да заеме своето място на пазара на HBM4E, като своевременно предостави на ключови клиенти образци от тази памет, които отговарят на всички технически изисквания. Още през следващия месец, изпреварвайки собствения си график, Samsung предвижда да получи първите образци на HBM4E, които ще притежават нужните характеристики.
Схемата на HBM4E включва логически кристал, който е в основата на стек от DRAM чипове. В случая на Samsung с производството му ще се заеме договорното подразделение на компанията, като съответният кристал ще бъде готов до средата на месец май. След като тества получените образци HBM4E в компанията, Samsung ще ги предаде на Nvidia за оценка.
Първоначално Samsung демонстрира образци на HBM4E още през март тази година на конференцията за разработчици GTC 2026. По принцип се смята, че тези образци не са били функционални и са служили само за демонстрация. По-рано Samsung успя да бъде първият сред трите големи производителя, който съобщи за началото на доставките на памет тип HBM4, която се очаква да се появи на пазара преди HBM4E. Корейската компания възнамерява да произвежда базовия кристал за HBM4E по 4nm процес, а DRAM чиповете в стека – по 10nm процес от шесто поколение (1c), което също би трябвало да ѝ осигури предимство пред конкурентите. Samsung ще започне да използва 4nm процес за производство на базовия кристал, като същевременно ще продължи да произвежда HBM4.

SK hynix, която разчита на услугите на TSMC за производството на базовите си чипове, ще се опита да форсира прехода към по-напреднали технологии. Тя планира да комбинира 12 nm процес за базовия кристал и 10 nm процес от пето поколение (1b) за DRAM чиповете в стека, когато пусне HBM4. Смята се, че за HBM4E базовите кристали ще се произвеждат от TSMC по 3nm технология.
Според някои доклади Nvidia малко изостава от първоначалния график за пускане на пазара на ускорители от поколение Vera Rubin и Rubin Ultra, които ще използват HBM4 и HBM4E, така че масовото производство на памет от тези типове също е усвоено със закъснение, но Samsung в никакъв случай не иска да отстъпва позиции на конкурентите си в тази област.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.









