Европейската комисия одобри отпускането на 319 млн. евро държавни субсидии за модернизация на завода на Infineon Technologies в австрийския град Филах. Компанията възнамерява да бъде първата в света, която ще започне масово производство на силови полупроводникови компоненти на базата на галиев нитрид (GaN) с използване на 300-милиметрови пластини. Общият обем на инвестициите в проекта ще възлезе на около 1,1 млрд. евро.

Средствата ще бъдат насочени към разширяване на съществуващите производствени мощности на Infineon във федералната провинция Каринтия. Проектът е наречен Empowering Fab и предвижда преход от производството на GaN-компоненти върху пластини с диаметър 200 милиметра към по-големи 300-милиметрови пластини. Както съобщава самата Infineon, първите продукти от модернизираното производство трябва да се появят на пазара до края на 2027 година.

Infineon усвои технологията за обработка на 300-милиметрови пластини за силова електроника на базата на галиев нитрид още през 2024 година. Дотогава подобни компоненти се произвеждаха предимно върху пластини с диаметър 200 милиметра. Увеличаването на диаметъра позволява на един пластина да се разположат приблизително 2,3 пъти повече чипове. Благодарение на това производителят разчита да намали себестойността на продуктите и да повиши ефективността на използване на оборудването.

Галиевият нитрид се разглежда като алтернатива на силиция в силовата електроника. Компонентите на негова основа могат да работят с висока честота на превключване и да осигуряват по-малки загуби на енергия при преобразуването на електроенергията. Това позволява създаването на по-компактни захранващи блокове, намаляване на отделянето на топлина и понижаване на изискванията за охлаждане. Такива решения са търсени в сървърното оборудване, центровете за обработка на данни за изкуствен интелект, електромобилите, роботиката и системите за възобновяема енергия.

Едно от направленията за приложение на GaN-компонентите на Infineon е енергозахранването на AI сървъри, където увеличаването на изчислителната мощност е съпроводено с нарастване на потреблението на електроенергия. С разпространението на мощните AI ускорители производителите на оборудване са принудени да повишават ефективността на преобразуването на енергията и да намаляват загубите в системите за захранване. Подобни изисквания се поставят и към зарядните устройства и промишлените преобразуватели.

Главният изпълнителен директор на Infineon Йохен Ханебек заяви, че преходът към масово производство на 300-милиметрови пластини ще позволи на компанията да разшири използването на галиев нитрид в силовата електроника. Според оценката на анализаторите от Yole Group, на която се позовава производителят, световният пазар на GaN компоненти за силова електроника може да достигне 3,5 млрд. долара до 2031 година. Средногодишните темпове на растеж в периода от 2025 до 2031 година се оценяват на около 35%.

Одобрената от Европейската комисия субсидия ще бъде отпусната в рамките на Европейския закон за чиповете. Получаването на средствата е свързано с редица задължения. Infineon трябва да разшири сътрудничеството си с университети, научни институции, стартъпи и малки технологични компании, като им предостави достъп до лаборатории, софтуер и хардуер. Освен това е предвидено участието на австрийската държава в разпределението на евентуална допълнителна печалба от проекта, надхвърляща установените прогнози.

В Европейската комисия считат, че без държавна подкрепа Infineon не би осъществила тези инвестиции в Европа. При разглеждането на заявлението регулаторният орган оцени също така влиянието на субсидията върху конкуренцията в рамките на ЕС. В крайна сметка финансирането беше признато за необходимо за разширяване на европейското производство на полупроводници и за намаляване на зависимостта от чуждестранни доставчици.