Micron обяви, че е започнала да доставя тестови образци на първите в света енергийно ефективни чипове памет LPDDR5X, произведени по усъвършенстван 10 nm процес от клас 1γ (гама). Тези чипове са насочени към повишаване на производителността на флагманските смартфони с изкуствен интелект.

Според южнокорейското издание ZDNet, процесът 1γ бележи шестото поколение DRAM памет от 10 nm клас, чието масово производство се очаква да се разрасне до края на тази година. Възелът е с ширина на линията около 11-12 нанометра и в южнокорейската полупроводникова индустрия обикновено се нарича 1c DRAM.

LPDDR5X е най-модерното поколение енергийно ефективна DRAM памет, която се предлага на пазара днес. Основните приложения на тази памет са мобилните устройства и преносимите компютри.

Според прессъобщението на Micron в момента компанията тества 16-гигабитови LPDDR5X чипове, базирани на процеса 1γ с избрани партньори и планира да предложи пълна гама от капацитети – от 8 до 32GB за използване във флагмански смартфони през 2026 година.

В прессъобщението се посочва също, че тази памет LPDDR5X осигурява най-бързата скорост в индустрията за LPDDR5X – 10,7 Gbps и демонстрира до 20% по-висока енергийна ефективност в сравнение с други подобни решения. Паметта е опакована в най-тънкия досега пакет за LPDDR5X с дебелина само 0,61 мм. Micron твърди, че това е с 6% по-тънко от конкурентните продукти и с 14% по-тънко от собствената ѝ LPDDR5X памет от предишно поколение. Компанията също така подчертава, че базираната на 1γ процес LPDDR5X е първото ѝ решение в сегмента на мобилната памет, което използва усъвършенствана EUV литография в производствения си процес.

През февруари тази година Micron обяви първите доставки на образци DDR5 памет, базирани на 1γ процес, на клиенти като Intel и AMD. Според съобщението за пресата Micron остава и единствената компания, която доставя HBM3E и SOCAMM чипове памет за сървъри с изкуствен интелект. Производителят отбелязва, че неговата SOCAMM LPDDR5X памет, разработена с подкрепата на Nvidia поддържа специалния чип за изкуствен интелект GB300 Grace Blackwell Ultra.

Южнокорейските конкуренти на Micron (Samsung и SK hynix) също разработват свои собствени чипове памет 1c DRAM. През август миналата година SK hynix обяви първите в индустрията 16-гигабитови DDR5 чипове памет, базирани на възела 1c – шестото поколение на 10 nm процес.