През 2016 година Samsung първа в бранша пусна на пазара чипове памет от първо поколение HBM за използване в сегмента на високопроизводителните компютри. Година по-късно беше представена 8-слойната HBM2 памет, последвана от HBM2E и HBM3, а през 2025 година компанията очаква да представи HBM4 памет.

Според корпоративния блог на компанията, в чиповете от тип HBM4 ще се използват иновации, насочени към подобряване на термодинамичните свойства на този тип продукти – казано по-просто, ще се прилагат решения за по-добро отвеждане на топлината. При сглобяването на стекове памет ще се използва непроводим полимерен слой за допълнителна механична защита на монтираните един върху друг чипове. Хибридният метод за свързване на медни проводници ще комбинира медни проводници с филмов оксиден изолатор вместо традиционната спойка.

Освен това, както признават представители на Samsung, в началото на тази година компанията е създала подразделение, което наблюдава усъвършенстваните методи за опаковане на чипове. Южнокорейският гигант ще бъде готов да предложи на клиентите си услуги за тестване и опаковане на чипове по 2,5D и 3D методи, които може да се окажат търсени от разработчиците на компоненти за високопроизводителни изчислителни системи и системи с изкуствен интелект.

Сред технологичните си постижения Samsung включва и пускането на пазара на чипове за оперативна памет от типа DDR5, позволяващи създаването на модули памет с капацитет 128 GB, както и овладяването на 12-нанометров (nm) технологичен процес в тази област. В бъдеще компанията очаква да използва процеси, по-тънки от 10 nm за производството на чипове памет.

В сферата на високопроизводителните изчисления достойно приложение може да намери и технологията HBM-PIM, която предвижда изпълнението на определена част от изчисленията директно от самия чип на паметта. В този случай производителността може да се увеличи до 12 пъти в сравнение с традиционната архитектура на чиповете памет. В допълнение към HBM, тази архитектура ще бъде внедрена и в чипове с памет, работещи с протокола CXL.

Според Samsung, наскоро представените LPCAMM RAM модули могат да се използват не само в преносими компютри, но и в сървърни системи, където високата им плътност ще увеличи количеството използвана RAM памет без допълнителни изисквания за пространство. Такива модули памет ще заемат 60% по-малко място в сравнение със SO-DIMM, а производителността ще се увеличи с до 50%. Енергийната ефективност на тези модули памет е с до 70% по-висока.