Чисто формално Samsung Electronics изпревари TSMC не само с няколко месеца по отношение на внедряването на 3-nm технологичен процес, но и значително изпревари своите конкуренти при прехода към използването на транзистори с кръгъл затвор (GAAFET). Сега южнокорейският производител се надява да изпревари конкурентите си и в усвояването на 2nm технологичен процес, макар и за сметка на разширяването на вече пуснатата 3nm технология.

Както съобщава DigiTimes, цитирайки корейското издание Money Today, което цитира източници, запознати с плановете на Samsung, контрактното подразделение на корейския гигант в момента фокусира ресурсите и усилията си върху по-бързото усвояване на 2nm технология, дори ако това означава жертване на мащаба на внедряването на 3nm технологичен процес. Samsung започна да го използва в масово производство в края на юни 2022 г., но TSMC, който изостана с около шест месеца, все пак получи повече клиенти за този етап на литографията.

Експертите в индустрията очакват, че 2nm процес и неговите аналози ще станат широко разпространени едва през 2025 г. Ако Samsung Electronics очаква да се превърне в сериозен играч на пазара за контрактно производство на чипове, използвайки усъвършенствана литография, трябва активно да усвои 2nm стандарти сега. През първото тримесечие на тази година TSMC контролира близо 60% от глобалния пазар на услуги за контрактно производство на чипове, според TrendForce. Ръководството на Samsung би искало компанията да стане технологичен лидер в тази област след максимум пет години. Способността за успешно овладяване на 2nm процес до голяма степен ще определи дали тази цел е постижима.

В рамките на 3-nm технологията, както отбелязват южнокорейските медии, TSMC и Samsung имат сравнимо ниво на пускане на годни продукти — от 50 до 60%, но ако първият се фокусира върху разширяването на производствените мощности на този профил, вторият вече мисли за прехода към 2-nm технология. С потенциалните клиенти се работи от рано, така че в бъдеще да поръчат производството на 2-nm продукти. За разлика от TSMC, Samsung не е необходимо да използва транзисторната структура GAAFET за първи път в рамките на 2nm технология, тъй като тя беше внедрена на 3nm етап от процеса. TSMC може да започне тестово производство на 2nm чипове още тази година, а бързият прогрес на Intel в тази област представлява заплаха и за двата производителя на пазара.