Според информация от вътрешни източници, Samsung успешно е разработила първия в света прототип на V-NAND флаш памет с 900 слоя, благодарение на технологията Cell Multi-Bonding (CMB), която обединява две пластини по 450 слоя в една. Чрез обединяването на няколко слоя NAND флаш памет производителите могат да постигнат по-висока плътност на съхранение на данни и да подобрят енергопотреблението. Това е ключова технология, която се използва, по-специално, в центровете за обработка на данни за изкуствен интелект.

Сред търговски достъпната памет лидер е SK hynix, която може да предложи чипове с 321 слоя, но Samsung вече се подготвя за масово производство на 10-то поколение V-NAND чипове с над 400 слоя.

През 2013 гodina Samsung първа в света пусна на пазара 3D V-NAND чипове и оттогава продължава да развива тази технология. Същевременно с нарастването на броя на слоевете компанията се сблъска с редица предизвикателства, по-специално деформация на пластините и проблеми с точността на изравняването поради увеличаване на височината на структурата на микросхемите. Вътрешни източници разказват, че тези проблеми са били решени с помощта на усъвършенствана конструкция и корекция на наслагването. Samsung също така подобри структурата на битовата линия, което позволи да се намали енергопотреблението и размера на чиповете.

В същото време конкурентите също не стоят на едно място. Освен SK hynix, Samsung все повече усеща натиск и от страна на китайските производители, сред които се откроява Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), която вече произвежда 294-слойни чипове флаш памет. Благодарение на държавната подкрепа и локализацията на оборудването компанията паралелно увеличава производствените си мощности и усъвършенства технологиите.

Именно поради засилващата се конкуренция Samsung реши да заложи на усъвършенстването на чип технологията и пускането на първия прототип на 900-слойна V-NAND флаш памет, което я приближава към ерата на 1000-слойната NAND памет.