В следващото поколение чипове Exynos 2600, Samsung планира да внедри технологията Heat Pass Block. Тя е проектирана значително да подобри разсейването на топлината от чипа и в резултат на това да увеличи неговата производителност.

Според последните индустриални източници, отделът за разработване на чипове на Samsung планира в чиповете Exynos 2600 за първи път да интегрира нов компонент — Heat Pass Block (HPB). По същество това е обикновен радиатор (най-вероятно меден), разположен вътре в чипа. Концепцията не е нова, тъй като подобен подход е бил използван и в RAM паметите от предишни модели Exynos.

И двата компонента (HPB и DRAM) ще бъдат разположени над логиката на процесора Exynos 2600 и ще бъдат опаковани в един чип, използвайки технологията Fan-out Wafer Level Packaging. Последната от своя страна включва монтиране на чипа не в стандартен корпус, а директно в пластмасова или епоксидна подложка.

Лесно е да се предположи, че допълнителният радиатор вътре в Exynos 2600 ще осигури по-ефективно разсейване на топлината от всички горещи компоненти на чипа. А предвид появата на нови високопроизводителни конкуренти, като Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, новият инженерен подход може да се окаже решаващ за поддържане на конкурентоспособността на Samsung. Припомняме, че прототипът на Samsung Exynos 2600 вече „светна“ в синтетичните бенчмаркове с доста добри резултати.