SK hynix обяви пускането на масовото производство на 238-слойна 4D NAND памет през май, която ще се превърне в основата за SSD от следващо поколение с по-висока скорост и капацитет. Новите чипове осигуряват скорост за трансфер на данните от 2400 MT/s, поставяйки основата за създаването на високопроизводителни PCIe 5.0 x4 SSD дискове с последователни скорости на четене/запис от 12 GB/s или повече.

Скоростта на интерфейса от 2400 MT/s може би е ключовият показател за 238-слойните TLC NAND чипове от SK hynix — той е с 50% по-бърз от интерфейса на чиповете от предишно поколение, който при 1600 MT/s трудно може да достигне потенциала на PCIe 5.0 x4. Икономическата ефективност на компонентите също е подобрена и е увеличена с 34%, в сравнение със 176-слойните аналози: ако приемем, че производителят е успял да осигури сравними по показатели на изхода годни продукти, то с 238-слойните TLC NAND чипове цената на гигабайт ще намалее със същите 34%. Към намаляването на физическия размер на готовите устройства, консумацията на енергия от новото поколение памет при четене е понижена с 21%.

Предложеното от производителя маркетингово обозначение на новите 4D NAND чипове всъщност означава, че в тях се използва клетъчна технология на заряд (Charge Trap Flash – CTF) и патентованото от производителя оформление с пренос на логика под масив от клетки (Peripheral Under Cells – PUC). Готовите продукти, базирани на 238-слойни NAND-чипове, ще дебютират на пазара като дискове за смартфони, след което ще бъдат използвани и в други устройства. SK hynix добави, че продуктите от следващо поколение ще започнат да оказват влияние върху приходите на компанията през втората половина на годината.