Вчерашният дебют на сгъваемия смартфон Xiaomi 18 Fold формално даде свобода на действие на CXMT — тази китайска компания получи пълното право да обяви, че е започнала масово производство на памет от типа LPDDR6, която за първи път намери приложение във флагманския модел смартфон. От гледна точка на демонстрирането на успехите на китайската полупроводникова промишленост това е много важна стъпка.

Чиповете с капацитет 16 Гбайт предлагат максимална скорост на предаване на информация от 12 800 Мбит/с, а при взаимодействие с чипа в смартфона тя възлиза на 10 667 Мбит/с. Произвежданите от CXMT LPDDR6 чипове са с конструкция FBGA с 1295 контакта и отговарят на стандарта JEDEC. Като се има предвид възможността на LPDDR6 да работи със скорост на предаване 12 800 Мбит/с, този тип памет осигурява увеличение на пропускателната способност с 60% в сравнение с LPDDR5X, работеща със скорост 10 667 Мбит/с. При това нивото на енергийна консумация е намалено с 20%, което осигурява по-дълга автономна работа на устройството. По-гъвкавото управление на напрежението на отделните блокове в състава на чипа LPDDR6 позволява да се постигне оптимална енергийна ефективност при различни видове изчислителна натоварване. Към това допринася и интелигентното управление чрез стратегическо планиране на разпределението на ресурсите и задачите.

Техническите възможности и архитектурата на LPDDR6

Подчертава се, че по-сложната опаковка на LPDDR6 в сравнение с LPDDR5 позволява намаляване на топлинното съпротивление на чипа с над 40% при високи натоварвания. Това допринася за по-ефективно отвеждане на топлината от LPDDR6 паметните чипове. Освен в смартфоните, паметта от този тип ще намери приложение в персоналните компютри, носимите устройства, автомобилите, сървърите за периферни изчисления и роботиката. Според данни на TrendForce, делът на CXMT на световния пазар на DRAM в парично изражение към края на второто тримесечие последователно е нараснал от 7,6% до 9,5%.

Това ѝ позволява да заема четвърто място сред най-големите световни производители на микросхеми за оперативна памет.

За сравнение, конкурентната южнокорейска компания SK hynix вече е завършила разработката на своята LPDDR6 памет, която ще се произвежда по технологичен процес от 10-нм клас, като е започнала доставките му на пазара през текущото полугодие. Samsung Electronics демонстрира образци на LPDDR6 още през януари тази година на CES 2026 в Лас Вегас, но засега не е съобщила кога ще започне масовото ѝ производство. В серийно производство тази памет ще работи със скорост до 12 800 Мбит/с, а SK hynix се стреми дори към ниво от 14 400 Мбит/с. Американската компания Micron вече доставя образци от своята LPDDR6 на клиентите си, но предпочита да не говори открито за сроковете за започване на търговските доставки.