Американската компания NEO Semiconductor обяви предстоящата демонстрация на три нови технологии за производство на най-добрата DRAM памет в света —- свръхплътна, свръхбърза и дори леко енергонезависима. Новото 3D DRAM решение беше представено за първи път през август 2023 г. и оттогава се разви в три различни версии на технологията, въпреки че производителите на памет от световна класа все още игнорират това революционно развитие.

NEO Semiconductor е заложила на вертикалното разположение на DRAM памет-клетките, което беше внедрено при производството на 3D NAND паметта. Очевидно е, че това значително ще увеличи плътността за съхранение на данните в RAM паметта. Разработчикът говори за DRAM чипове с плътност от 512 Gbit — повече от 10 пъти над днешните масово произвеждани памет-чипове. Също така, увеличаването на плътността на паметта води до относително намаляване на консумацията на енергия, което в условия на енергиен дефицит е също толкова важно, колкото и увеличаването на броя на банките с памет.

На изложението IEEE 2025 в Монтерей, Калифорния, САЩ, от 18 до 21 май 2025 г., NEO Semiconductor ще представи три нови архитектури на DRAM клетки, оптимизирани за подредено производство: 1T1C, 3T0C и 1T0C клетки. Освен това, всички те или някои от тях използват IGZO материал за транзисторните канали, който ни е познат от производството на тънкослойни транзистори за дисплеи с висока резолюция и ниска консумация на енергия.

IGZO материалите, или съединенията на индиево-галиево-цинков оксид, са специалитетът на Sharp. В този материал електроните имат повишена мобилност, без да се увеличават работните токове. Логично, RAM паметта с IGZO транзистори ще наследи тези качества, давайки на света памет с по-добри характеристики на производителност и консумация на енергия. В комбинация с многослойната архитектура, това би могло да революционизира света на RAM паметта, ако Samsung, SK Hynix или някой подобен най-накрая се заинтересува от технологията.

Нека добавим, че както следва от обозначението на архитектурата на клетката, клетка 1T1C е класическа DRAM с един транзистор и един кондензатор; клетката 1T0C се състои от един транзистор без кондензатор; а клетка 3T0C е съставена от три транзистора без кондензатор. Според компанията, клетки 1T1C и 3T0C са способни да запазват данни без захранване в продължение на 450 секунди, което ще намали консумацията при регенерация. Скоростта на достъпа достига 10 ns. Но това са все разчетни данни, а екземплярите от новата памет би трябвало да бъдат пуснати за първи път едва през 2026 г. Чакаме. Светът повече от всякога се нуждае от DRAM с висока плътност и ниска консумация на енергия.