Доста дълго време тенденцията за удвояване на плътността на транзисторите върху полупроводниковите чипове, определена от така наречения закон на Мур на всеки една и половина до две години, определяше темповете на развитие на компютърните технологии. Intel загуби лидерството си в тази област, но обеща да го върне до средата на десетилетието. Независими експерти прогнозират, че по някои критерии Intel ще може да направи това още през 2024 г.

Поне ресурсът WikiChip Fuse настоява за това въз основа на резултатите от докладите на представители на TSMC относно напредъка в усвояването на литографските стандарти в 3-nm семейството. Известно е, че TSMC в рамките на това семейство, ще предложи най-малко пет разновидности на технологичния процес, но за свойствата на първите две – N3B и N3E – вече може да се говори с известна степен на увереност.

Спомнете си, че според технологичния процес N3B се очаква TSMC да овладее производството на 3-nm процесори за Apple, които ще се появят в новото поколение iPhone тази есен и компютрите Mac, под формата на чипове от M3 серията. Технологичният процес N3B няма да се използва широко и по-голямата част от клиентите на TSMC ще чакат процесът N3E да бъде пуснат в масово производство, което е планирано за следващите шест месеца. Възможно е същата NVIDIA, чийто основател наскоро направи съответните изявления, да стане клиент на TSMC в рамките на технологията N3E.

Intel отдавна смята собствената си система за обозначаване на процесите за несправедлива и затова преди известно време премина към по-абстрактна система, която улеснява сравняването на нейните технологични процеси с предложенията на конкурентите. Intel 4, например, може да се сравни с технологичния процес на TSMC от серията N3. Чисто по отношение на плътността на транзисторите в логическите блокове на чиповете и двете компании могат да достигнат паритет още тази година, тъй като и в двата случая ще се доближат до 125 милиона транзистора на квадратен милиметър площ.

Разбира се, в рамките на технологичните процеси от серията N3, тайванската TSMC може постепенно да увеличи плътността до 215 милиона транзистора на квадратен милиметър, но Intel със сигурност няма да бездейства. Според експерти, в рамките на технологичния процес Intel 20A, той ще може да изпревари TSMC по отношение на плътността на транзисторите върху чипа. Всъщност, ако това се случи, дори до края на 2024 г., компанията ще може да подкрепи обещанията на главния изпълнителен директор Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) да върне технологичния паритет на компанията до 2024 г. и да постигне превъзходство над конкурентите си през 2025 г., което е малко по-рано от обявения график.

Както показва анализът на WikiChip Fuse, TSMC не се справя добре в областта на литографията, тъй като всяка нова степен на технологията създава свои собствени предизвикателства и трудности. Плътността на транзисторите в клетките на паметта SRAM, която формира кеша в съвременните процесори, изобщо не се е увеличила при този контрактен производител в технологичното семейство N3 спрямо N5. Следователно за разработчиците на процесори няма да е толкова лесно да увеличат обема на кеш-паметта в своите решения, ако това се изисква в рамките на 3-nm технология. Тайванската компания ще започне да произвежда продукти, базирани на технологичния процес от фамилията N2, не по-рано от 2025 г., така че Intel още през следващата година ще има причина да претендира за технологично превъзходство над основния си конкурент, като същевременно запази текущия темп на прогрес в областта на литографията. Преди края на десетилетието, припомняме, че Intel също очаква да стане вторият най-голям контрактен производител на чипове в света.