Японската компания Kioxia съобщи тази седмица за началото на доставките на инженерни прототипи на памети от типа TLC с плътност 1 Тбит, които се произвеждат в 332-слойна версия с използване на 10-то поколение на технологията BiCS Flash. Както се отбелязва, тази памет осигурява увеличаване плътността на съхранение на данни и скоростта на работа и ще се използва предимно в устройствата за съхранение от сървърен клас.

Както и при чиповете от осмо поколение, новата памет използва технологиите CBA и OPS, като същевременно предлага пропускателна способност от 4,8 Гбит/с, което е с една трета повече от възможностите на паметта от осмо поколение. Плътността на съхранение на информация в относително изражение е увеличена с 59% благодарение на 332-слоевата структура.

Консумацията на енергия при операции по четене е намалена с 30%, а при операции по запис – с 18%. В условията, когато операторите на центрове за обработка на данни започват да обръщат все по-голямо внимание на енергопотреблението, това е важно постижение.

Производството на авангардната 332-слойна памет на Kioxia ще се осъществява в новия ѝ завод в префектура Ивате, който беше пуснат в експлоатация през септември миналата година. Новините за пускането на образци от паметта от ново поколение допринесоха за ръст на курса на акциите на компанията с 8,9% по време на сутрешните търгове в Токио. За разлика от компании като Samsung и SK hynix, които могат да диверсифицират структурата на доставките си чрез DRAM и HBM, Kioxia произвежда само памети от типа NAND, поради което за нея е важно да не изостава от по-големите си конкуренти в технологично отношение и да следи внимателно пазарната конюнктура.