На пазара на HBM3 и HBM3E компанията Samsung Electronics значително изостава от по-малката SK hynix, така че с овладяването на производството на HBM4 и HBM4E тя полага всички усилия да премахне тази разлика. По-конкретно, тази седмица Samsung заяви, че първа е започнала да доставя на клиентите образци от 12-слойна памет от типа HBM4E.

В съобщението си за пресата Samsung Electronics същевременно напомни, че тази година вече е съобщила, че вече е започнала масовото производство на HBM4 памети, въпреки че не уточни кои са нейните клиенти в тази област. Според представителите на Samsung вече съществуващите образци на HBM4E осигуряват стабилен трансфер на информация със скорост 14 Gbit/s с перспектива за увеличаване до 16 Gbit/s. Това е с повече от 20% по-висока стойност от HBM4, а кумулативната скорост на трансфер на данни на стека HBM4E достига 3,6 Тбайта/s.

Освен това 12-слойният стек HBM4E осигурява капацитет от 48 GB, което е с 30% повече от предишното поколение памет. Компанията има готовност в бъдеще да предложи на клиентите и 8-слойни стекове с капацитет 32 GB и 16-слойни стекове с капацитет 64 GB. Компанията възнамерява да произвежда DRAM кристали за HBM4E по 10nm технология от 6-то поколение (1c), докато базовите кристали ще бъдат произведени от договорното подразделение на Samsung по 4nm технологичен процес. Оптимизацията в дизайна и на ниво опаковка позволи на Samsung да подобри енергийната ефективност на HBM4E с 16% спрямо предишното поколение памет, докато термичните характеристики са се подобрили с повече от 14%. Компанията ще започне масовите доставки на HBM4E, като се консултира със своите клиенти. Според прессъобщението на Samsung те са доста доволни от качеството на нейните чипове HBM4, чиито доставки започнаха през февруари.