Технологията V-NAND на Samsung значително се е усъвършенствала, като за малко повече от десетилетие броят на слоевете нарасна от 24 до почти 300. Въпреки че компанията се сблъска със значителни предизвикателства при допълнителното мащабиране, тя запазва увереността си, че може да побере поне 400 слоя клетки флаш памет в NAND чиповете. Ако всичко върви по план, масовото производство може да започне до края на следващата година.

Деветото поколение 280-слойна V-NAND флаш памет на Samsung съвсем наскоро влезе в масово производство, като първите комерсиални продукти се очаква да се появят по рафтовете на магазините през следващата година. Според изданието Korea Economic Daily обаче компанията вече си поставя амбициозни цели за своята 400-слойна V-NAND технология от 10-то поколение.

Конкуренцията в тази област се засили през последните години, което до голяма степен се дължи на нарастващите изисквания на приложенията за изкуствен интелект, както и на нарастващия апетит на потребителите за по-големи и по-достъпни флаш памети.

Понастоящем Samsung владее водещ пазарен дял от 37%, но запазването на тази позиция става все по-голямо предизвикателство, тъй като конкуренти като Micron, YMTC, SK Hynix и Kioxia ускоряват разработването на 3D NAND с по-висока плътност.

SK Hynix планира да започне производството на 400-слойна NAND до края на 2025 г., а пълномащабното производство се очаква през първата половина на 2026 г. Това накара Samsung да се ориентира към същите срокове, тъй като по-малкият корейски съперник спечели значителен пазарен дял през последните две години.