Наскоро компанията Samsung обяви началото на доставките на прототипи на памет от типа HBM4E, но в същото време компанията вече работи с пълна сила и по разработката на следващото поколение HBM5. На изложението Computex 2026, което в момента се провежда в Тайван тя демонстрира само макет на чипа HBM5, който има за цел да покаже в общи линии неговата структура, но още на този етап е ясно, че от технологична гледна точка това няма да бъде най-лесният вид продукция на Samsung.

Да започнем с това, че компанията възнамерява да произвежда базовия кристал за HBM5 със собствени сили по 2 nm технология. Броят на DRAM слоевете, които ще се произвеждат по технология от клас 1c може да варира от 12 до 20 броя. Техническият директор на профилното подразделение на Samsung Electronics Сон Чже Хьок, който присъстваше на щанда на компанията на изложението обеща използването на конфигурация на GAA транзистори при производството на 2 nm чипове. Освен това той изрази увереност, че Samsung като цяло ще успее да овладее технологии с размер под 1 nm. Наличието на договорно подразделение в Samsung ѝ позволява да отговаря на изискванията на най-взискателните клиенти, включително Nvidia.

За сравнение, HBM4E предполага използването на 4 nm базов кристал и технологичен процес 1c за производството на DRAM чипове, които формират паметния стек. Важно нововъведение в HBM5 ще бъде използването на Heat Path Block (HPB) канал за отвод на топлината. HBM5 не само ще увеличи броя на DRAM слоевете в стека, но и скоростта на обмен на информация, затова Samsung възнамерява да обърне специално внимание на отвода на топлината от елементите на стека. Технологията вече е усъвършенствана по примера на HBM4E, а в бъдеще компанията възнамерява да прилага усъвършенствани методи за отвеждане на топлината, за да повиши стабилността на работата на паметта с такава конфигурация. Южнокорейският гигант планира да започне масово производство на HBM5 през 2028 година. Още в рамките на HBM5E DRAM кристалите в стека ще започнат да се произвеждат по по-усъвършенствания технологичен процес 1d.

При конкурентната SK hynix за охлаждането на елементите в стека ще отговаря подобната технология iHBM, за която наскоро писахме, затова не може да се твърди, че решението на Samsung е уникално в някакъв смисъл. Именно при производството на HBM5 компанията SK hynix възнамерява да внедри iHBM в условията на масово производство на памет. Освен това, в състава на HBM5 на този производител също ще присъстват 2 nm чипове.