SK hynix представи решение, наречено iHBM, при което интегрирани охлаждащи елементи (ICE) са вградени в корпуса на HBM чиповете с високоскоростна памет от ново поколение.

Управлението на топлинното излъчване се превръща в критичен проблем с развитието на HBM технологията и увеличаването на броя на слоевете – то е необходимо за повишаване на скоростта и задоволяване на търсенето на обработка на данни в областта на изкуствения интелект. Ефективното управление на плътността на мощността на физическото ниво D2D (Die-to-Die Physical Layer) – интерфейсът, който свързва паметта с графичния процесор е ключов фактор, определящ конкурентоспособността на HBM от ново поколение.

При iHBM компанията е приложила структурен подход към решаването на проблема с управлението на топлинното излъчване. В съществуващите HBM продукти се използва индиректен метод на охлаждане, предвиждащ отвеждане на топлината през ядрото на кристала. Схемата на iHBM предвижда разполагането на ICE директно в областта на D2D PHY, където концентрацията на топлина е най-висока – там се създава допълнителен път за нейното разсейване. Новото решение помага за намаляване на топлинното съпротивление с 30%, осигурявайки стабилна работа на чиповете дори при високи температури и налягане.

Решението е адаптирано към нуждите на масовото производство: разработеният от SK hynix процес Wafer Level Packaging (WLP) на базата на технологията Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) е в състояние да осигури стабилно мащабно производство на iHBM чипове. Предвидена е и висока съвместимост със съществуващите архитектури System-in-Package (SiP): клиентите могат да внедрят новото решение с минимални промени в конструкцията. SK hynix възнамерява да внедри iHBM в архитектурата HBM5.