Samsung обяви началото на масовото производство на 9-то поколение V-NAND флаш-памет, което предлага 33% увеличение спрямо текущата. Този месец стартира производството на TCL V-NAND с капацитет 1Tbit, а QLC ще се доставя през втората половина на 2024 г. Преди това началото на производството беше потвърдено и от неофициални източници, от които също се знае, че паметта има 290+ слоя.

„Развълнувани сме да представим първото в индустрията 9-то поколение V-NAND, което ще направи крачка напред за бъдещите приложения. За да отговори на търсенето на решенията за NAND флаш-памет, Samsung разшири границите в клетъчната архитектура и оперативната схема за нашия продукт от следващо поколение. Благодарение на нашия най-нов V-NAND, Samsung ще продължи да определя трендовете на пазара на високопроизводителните твърдотелни устройства (SSD) с висока плътност, които отговарят на нуждите на следващото поколение AI“ — каза СонгХой Хур, ръководител на отдела за флаш-продукти и Memory Technologies в Samsung Electronics.

Според компанията, битовата плътност на Gen 9 V-NAND е приблизително 50% по-висока в сравнение с Gen 8 V-NAND. Новите технологии за избягване на смущения в клетките и удължаване на живота им  подобриха качеството и надеждността на паметта, а елиминирането на фиктивните отвори в каналите значително намали площта на клетката.

Технологията за ецване на отворите в каналите на Samsung създава електронни пътеки чрез подреждане на матрици и увеличаване на максималната производителност чрез едновременно обработване на най-голямото в отрасъла количество слоеве клетки в двойна структура.

V-NAND 9-то поколение е оборудвано с флаш-интерфейса от ново поколение NAND Toggle 5.1, който поддържа повишена скорост на входно/изходните данни с 33% до 3,2 Gbps. Консумацията на енергия е подобрена с 10%.